Orientação de Cristal 100 P-tipo Bolacha de Silício de Polegadas Polegadas de Polimento Bolacha de Silício de Polimento de Dupla Face

Bolacha de silicone lustrada: bolacha lustrada de cristal único e duplo de 1-12 polegadas de alta pureza (11n) czochralski

Tamanho: 1 “2” 3 “4” 5 “6” 8 “12” e tamanho especial e especificação chip de silício

Superfície: folha de polimento única, folha de polimento dobro, folha de moagem, folha de corrosão, folha de corte

Orientação de cristal:<100>, tipo condutor n-type

Espessura: 100um, 200um, 300um, 400um, 500um, 1mm, 5mm e outras espessuras, tolerância de espessura +- 10um, ttv <10um ou de acordo com as exigências de cliente, aspereza <0.2nm

Resistividade re doping pode atingir <0.001 ohm cm, baixo doping convencional 1 o10 ohm com, 500 800800ohm como o habitual cm, zona de fusão característica:>1000 ohm cm, >3000 ohm. Cm, >5000 ohm. cm,>8000 ohm. cm,>10000 ohm. cm

Nivelamento do parâmetro do processo tir: tt3m m. warpage ttv: 10 10 m m tt

Arco/warp40 40 roughm. aspereza 0.0.5nm, tamanho de partícula <1010ea @>0.3))

Método de empacotamento ultra limpo vácuo da folha de alumínio que empacota 10 peças, 25 peças

O tempo de processamento do modelo personalizado, orientação de cristal, espessura e resistividade varia ligeiramente de acordo com especificações e parâmetros diferentes.

Introdução da aplicação é usado para o portador da amostra da radiação de synchrotron, revestimento de pvd/cvd como o substrato, magnétron que engasga a amostra do crescimento, xrd, sem

Força atômica, espectroscopia infravermelha, espectroscopia de fluorescência e outros substratos de análise e teste, substratos cultivados de epitaxia de feixe molecular, semicondutores de cristal de análise de raios x