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Ficha técnica do produto
Características
Especificações
Tipo
Importação
Modname = ceditor
Aceite personalização do tamanho e da especificação.
Outras faces de cristal tais como a e r podem ser personalizadas.
Especificação: 2 “(50.8mm)× 0.4mm, polimento de superfície única, direção de cristalização: <0001>, nomeadamente c-eixo, ponto.
Aceite personalização de tamanho.
Substratos de safira também podem ser usados na indústria de semicondutores wafers epitaxiais, pode ser usado para fazer led, é a pesquisa de laboratório (como chip epitaxial, substrato de filme de cristal único epitaxial).
1. Peças p ar Condicionado
\ \ \ \ \ \ \ \
2. Bolacha de 2 Polegadas-safira Único Substrato de
Polimento de epitaxia
Material da ciência material
Pureza alta único crystalal2o3
Orientação de orientação de cristal
Cnoodles (0001) 0.3 °
Yesmaxis ângulo de desvio
0.20 0.05 °
Yesaaxis ângulo de desvio
0.0 0.1 °
Dismeter de diâmetro
50.8 0.15mm
Espessura da espessura
330 m m/430m m 2525m m
Desvio total da espessura ttv
<10 m m
Smoothnesstir de superfície total
? 10 m m
Dobra do grau de dobra
? 15 m m
Arco de warpage
-10 m 0m m
Orientação da localização plana primária da superfície de posicionamento
Anoodles (11-20)
Ângulo de posicionamento do desvio do plano angleflat
0.0 0.2 °
Localizar comprimento plano longitudinal lateral
16 0.5mm
Rugosidade da superfície da superfície
Ra3 3 (namelyra0.0.3nm)
Rugosidade traseira superfície traseira (ra)
Ra = 0.5 1.1.0m m
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