Polegada 100200um Ultra-fino Grosso Único Cristal Polido Bolacha de Silício Fortemente Dopada com Bolacha de Silício Altamente Condutora 4
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Ficha técnica do produto
Características | Especificações |
---|---|
Tipo | Importação |
Bolacha de silício oxidado | Único-lado polimento + único-face oxidação, duplo-lado polimento + único-face oxidação, a bolacha de silício oxidado intrínseca waultra-fino thick de silício oxidado grosso bolacha, pode ser personalizado ? Vária espessura especial/vária resistividade resia orientação de cristal pode ser processamento personalizado; oxidação de face única, o substrato ? com espessura diferente, preços diferentes; Nossa empresa pode personalizar folhas de óxido de sílica com parâmetros diferentes para clientes, boa qualidade; os parâmetros da espessura da camada de óxido parameters densidade parameters tais como a uniformidade e a orientação de cristal da resistividade são implementados de acordo com o padrão nacional ? o outro: nossa empresa é o agente de processamento de desenho de cristal de bolacha cutting corte grinding moagem polishing polimento welcome boa vinda para inquirir e processar tais como oxidação de revestimento, etc; |
Parâmetros do processo | Flatnesstir: 3m m warwarpagettv: 1010m m ? Arco/warp4040m m roughroughness0.0.5nm particle tamanho de partícula <1010ea @ > 0.3μ) |
Embalagem de embalagens | Embalagem ultra-limpa do vácuo packaging10chip da folha de alumínio packaging 25 empacotamento da microplaqueta |
Processamento feito sob encomenda | Modelo orientation orientação cristalográfica thickness espessura the o tempo de processamento tal como a resistividade é ligeiramente diferente de acordo com especificações e parâmetros diferentes ? |
O uso da introdução | Usado como o portador da amostra da radiação de síncrotron tal como o substrato revestido do ofício pvpvd/cvdthe magnemagnetron que engasga a amostra de crescimento xxrd sem sem ? Microscópio eletrônico e microscópio de força atômica foufourier transforma espectroscopia infravermelha substrate substrato de teste analítico tal como espectro de fluorescência substrate substrato para crescimento de epitaxia de feixe molecular xx análise de raios xx semicondutor cristalino |
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3. Bolacha de Silício Altamente Condutora
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