Polegadas de Carboneto de Silício Substrato Sic Wafer Power Optoeletrônica Pesquisa Científica Experimento 10*10 mm Peça Quadrada 4

Tipo 1: 4 polegadas 350um4H tipo condutor
Tipo 2: 4 polegadas 500um4H tipo semi-isolamento
Tipo 3: folha quadrada condutora 10*10 * 0.35mm4H
Tipo 4: folha quadrada condutora 18*18 * 0.35mm4H
Tipo 5: folha quadrada semi-isolante de 10*10*0.5mm

1. Weddings e Events

Características de materiais do carboneto de silicone

Excelentes propriedades físicas

Um: largura banda proibida (resistência a altas temperaturas)

Dois: alta quebra crítica campo elétrico (alta tensão resistência)

Três: condutibilidade térmica alta (dissipação térmica)

Quatro: mobilidade do elétron da saturação (velocidade alta do interruptor)

1. A largura de banda proibida maior pode garantir que os elétrons não sejam propensos à transição e a excitação intrínseca seja fraca a alta temperatura. Isso permite que temperaturas operacionais mais altas sejam toleradas.
A largura de banda proibida do carboneto de silício é cerca de 3 vezes a do silício e a temperatura de trabalho teórica pode atingir mais de 400 ?.

2. A intensidade crítica do campo de ruptura refere-se à intensidade do campo elétrico em que o material sofre avaria elétrica. Quando esse valor for excedido, o material perderá suas propriedades isolantes, o que, por sua vez, determina o desempenho de tensão suportável do material.
A força crítica do campo da divisão do carboneto de silicone é aproximadamente 10 vezes aquela do silicone, que pode suportar umas tensões mais altas e é mais apropriada para dispositivos de alta tensão.

3. A alta temperatura é uma das principais razões que afetam a vida útil do dispositivo. A condutividade térmica representa a condutividade térmica do material. A alta condutividade térmica do carboneto de silício pode efetivamente conduzir calor, reduzir a temperatura do dispositivo e manter sua operação normal.

4. A taxa de deriva do elétron da saturação refere a velocidade direcional máxima do movimento dos elétrons no material do semicondutor, e o nível deste valor determina a frequência de interruptor do dispositivo
A taxa de deriva do elétron da saturação do carboneto de silicone é duas vezes aquela do silicone, que ajuda a aumentar a frequência de funcionamento e a miniaturizar o dispositivo.

Aplicações de carcaças do carboneto de silicone

Optoelectrónica

Light Emitting Diode (LED) é um componente eletrônico que utiliza elétrons e buracos em semicondutores para emitir luz. É uma fonte de luz fria economizadora de energia e ecológica. O material SiC tem as vantagens de pequena incompatibilidade de treliça com GaN, alta condutividade térmica, tamanho pequeno do dispositivo, forte capacidade antiestática e alta confiabilidade. É um substrato ideal para materiais epitaxiais GaN. Devido à sua boa condutividade térmica, pode resolver o problema de energia É especialmente adequado para a preparação de LEDs de iluminação de semicondutores de alta potência, qual melhora extremamente a eficiência clara da extração e reduz eficazmente o consumo energético.

Campo eletrônica potência

Os semicondutores de terceira geração representados pelo sic têm as vantagens de band gap, alta condutividade térmica, alta resistência ao campo de ruptura, alta taxa de deriva de elétrons de saturação, propriedades químicas estáveis, alta dureza, resistência ao desgaste, alta ligação e alta energia e resistência à radiação., pode ser amplamente utilizado na fabricação de alta temperatura, de alta frequência, Dispositivos eletrônicos integrados de alta potência, resistente à radiação, alta potência e alta densidade, dispositivos eletrônicos de potência (SBD, MOSFET, IGBT, BJT, JFET, etc.) desenvolvidos com substratos SiC são usados na transmissão nos campos da eletrônica de potência, como subestação de energia, geração de energia eólica, energia solar e veículos elétricos híbridos, Pode reduzir a perda de energia, reduzir a geração de calor, trabalhar em alta temperatura, melhorar a eficiência e aumentar a confiabilidade.

Especificação do produto SiC crystal de 2 polegadas

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5. 4 Polegadas de Carboneto de Silício Substrato

3) bolacha do carboneto do silicone 4H-N